特許

J-GLOBAL ID：200903021019007262

セレン化銅インジウム薄膜の製造方法

発明者： 中田 時夫
出願人/特許権者： 株式会社日鉱共石 ,  中田 時夫
代理人 (1件)： 三品 岩男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-063592
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263219
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】【目的】有毒ガスを用いず、および、有毒ガスを発生させることなく製造でき、さらに、一定の組成比のCuInSe2膜を得ることができ、かつ、粒径の大きく、基板に対する密着性のよいものが得られるCuInSe2薄膜の製造方法の提供。【構成】基板上にCu-In-Se混合薄膜を成膜し、これを、不活性ガス、Se蒸気またはこれらの混合ガス中で、600°C以上の温度で熱処理する。【効果】化学量論的組成を有し、かつ、単一相のカルコパイライト構造であって、結晶粒径が大きく、かつ、基板に対する密着性のよいCuInSe2薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

基板上にCu-In-Se混合薄膜を成膜し、これを、不活性ガス、Se蒸気またはこれらの混合ガス中で、600°C以上の温度で熱処理することを特徴とするセレン化銅インジウム薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/14 ,  C22C 45/00 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/56 ,  H01L 31/04