特許

J-GLOBAL ID：200903021019224867

半導体デバイスの表面に導電性部材を選択的に結合するための方法とシステム

発明者： アンソニー ジェイ.コネクニィ ,  ギリシュ エイ.ディクシット
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-370151
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209082
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの表面の縦横比の大きな形状を損なうことなく清浄化を行い、そして表面に導電性部材を選択的に結合させる方法とシステムを提供する。【解決手段】 半導体デバイス8の接触体領域32に導電性部材を選択的に結合する方法は、残留部材40の反応性の強い表面領域を増大させるために、集積クラスタ・ツール90に付随する第1位置において接触体領域32に結合している残留部材40を不活性イオン44で照射する段階を有する。接触体領域32から残留部材40を除去するために、第1位置において水素イオン46が導入され、そして残留部材40との反応が行われる。半導体デバイス8は、集積クラスタ・ツール90の第1位置から第2位置に原位置のままで転送される。化学的蒸気沈着技術を用いて、導電性部材60が接触体領域32に選択的に結合することが行われる。

請求項（抜粋）：

残留部材の反応性の強い表面領域を増大するために、集積クラスタ・ツールに付随する第1位置において接触体領域に結合された前記残留部材を非活性イオンで照射する段階と、前記残留部材と反応することにより前記残留部材を前記接触体領域から除去するために、前記第1位置において水素イオンを導入する段階と、前記集積クラスタ・ツールに付随する前記第1位置から第2位置に原位置のままで半導体デバイスを転送する段階と、化学的蒸気沈着技術を用いて、前記第2位置の前記接触体領域に導電性部材を選択的に沈着する段階と、を有する、半導体デバイスの接触体領域に導電性部材を選択的に結合する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 C