特許

J-GLOBAL ID：200903021019684477

半導体装置の製造方法

発明者： 小林 博文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241360
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057134
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】環境を配慮した安価な処理で基板と配線金属のコンタクト部に対し一様にSiノジュールを低減する高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ステップ11でSiウェハへの第1層目配線金属層との接続のためのコンタクト開口部を形成する。次に、ステップ12で界面活性剤の添加されたコリン溶液が入った洗浄槽に、Siウェハを漬浸する。このコリン溶液洗浄によって、コンタクト開口部のSiを極僅かにエッチングし、エッチングダメージによる表面ラフネスを均一に小さくする。これにより、Siノジュール生成のための核を生成し難くする。また、混合された界面活性剤により汚染物質を分散させ、再付着を防ぐ。その後、ステップ13で純水リンス洗浄、ステップ14で乾燥処理を経る。

請求項（抜粋）：

Siウェハ上の所定領域と配線層が接続されるコンタクト開口部を洗浄する方法であって、前記コンタクト開口部に前記配線層を被覆形成する前に前記Siウェハを少なくとも界面活性剤が添加されたコリン溶液に漬浸し前記コンタクト開口部を洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/304 647 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/90 C

Fターム (16件)：

4M104AA01 ,  4M104BB03 ,  4M104DD22 ,  4M104HH06 ,  4M104HH15 ,  5F033HH09 ,  5F033JJ09 ,  5F033KK01 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ92 ,  5F033XX09 ,  5F033XX29 ,  5F043AA02 ,  5F043BB28 ,  5F043GG02