特許
J-GLOBAL ID：200903021023594261
気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335253
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 気相成長後における結晶基板を支持した結晶基板支持部材の取り外しならびに載置を容易にし、かつ、これらの破損を防止できるとともに、頻繁に装置の洗浄を行う必要がない気相成長装置を提供することを目的とする。【構成】 反応管1内には回転軸2上に固定されたザグリ部6を有するサセプタ3が配置されており、また、サセプタ3の下部にはサセプタ3を介して結晶基板4を加熱するためのヒータ7が設置されており、さらに、反応管1の上方には成長ガスを供給するための給気口8が形成され、反応管1の下方には反応管1内の圧力を一定にしたり未反応ガスを排気するための排気口9が設けられている気相成長装置であって、上記したサセプタ3のザグリ部6に結晶基板4を支持した結晶基板支持部材5を載置したとき、結晶基板支持部材5の上面の位置がサセプタ3の上面の位置よりも高くなるように構成することを特徴とする気相成長装置。
請求項（抜粋）：
基板を支持するための基板支持部材と、この基板支持部材を載置するザグリ部を有するサセプタとを具備してなる気相成長装置において、前記基板支持部材の上面の位置が前記サセプタの上面の位置よりも高くなるように構成されていることを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 14/50
, H01L 21/31
