特許
J-GLOBAL ID：200903021026027945

N2Oを用いた、炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法

発明者：
ロリ リプキン

ロリ リプキン について

, 
ムリナル カンチ ダス

ムリナル カンチ ダス について

, 
ジョン ダブリュー.パルムール

ジョン ダブリュー.パルムール について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-533356
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511101
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
N2O環境中で炭化ケイ素層を酸化すること、またはN2O環境中で炭化ケイ素層上の酸化物層をアニーリングすること、の少なくとも一方により酸化物層を形成することによる炭化ケイ素層上への酸化物層の製造方法を提供する。好ましくは、N2Oの所定の温度プロファイルおよび所定の流量プロファイルが、酸化またはアニールの間に与えられている。所定の温度プロファイルおよび/または所定の流量プロファイルは、一定でも可変でもよいし、定常状態条件へのランプを含んでいてもよい。所定の温度プロファイルおよび/または所定の流量プロファイルは、SiCの伝導帯付近のエネルギーを有する酸化物/炭化ケイ素界面の界面準位を低減するように選ばれる。
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素層と当該炭化ケイ素層上の酸化物層とを備えている炭化ケイ素構造の製造方法であって、 約1100°Cよりも高いアニール温度を含む所定の温度プロファイルと、少なくとも約11秒のN2Oの初期滞留時間をもたらす流量プロファイルと、を用いて、N2Oを含む環境中で既存の酸化物層をアニールすること、または、 少なくとも約1200°Cの酸化温度を含む所定の温度プロファイルを用いて、N2O環境中で炭化ケイ素層を酸化すること、の少なくとも一方により特徴づけられる方法。
IPC (2件)：
H01L21/316 ,  H01L29/78
FI (4件)：
H01L21/316 P ,  H01L21/316 S ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G
Fターム (22件)：
5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF56 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BD05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM