特許
J-GLOBAL ID：200903021028766540
シリカ薄膜形成用組成物およびシリカ薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056882
公開番号（公開出願番号）：特開平10-237307
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：
【要約】【課題】 基材に塗布した時、基材に対する被覆平坦化性に優れ、高エネルギー線照射後は電気絶縁性に優れたシリカ薄膜となり得るシリカ薄膜形成用組成物およびその形成方法を提供する。【解決手段】 (A)分子量が1,500以下の水素シルセスキオキサン樹脂を少なくとも45重量%含有する水素シルセスキオキサン樹脂と(B)溶剤からなることを特徴とするシリカ薄膜形成用組成物、および該シリカ薄膜形成用組成物を基材表面に塗布し、次いで、前記(B)成分の溶剤を蒸発させ、しかる後に、前記基材表面に高エネルギー線を照射することにより、前記(A)成分の水素シルセスキオキサン樹脂の少なくとも一部をシリカとすることを特徴とするシリカ薄膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
(A)分子量が1,500以下の水素シルセスキオキサン樹脂を少なくとも45重量%含有する水素シルセスキオキサン樹脂と(B)溶剤からなることを特徴とするシリカ薄膜形成用組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C08L 83/04
, H01L 21/316 G
