特許

J-GLOBAL ID：200903021028929431

半導体装置におけるウェルの形成方法

発明者： 鈴木 和哉
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201567
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058213
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置におけるウェルの形成方法に関するもので、微細化に伴ってウェルの不純物濃度が不均一になることを解消することを目的とする。【構成】 本発明は、まず、一つのウェル17形成領域より小さい不純物層16を形成し、その後、熱処理によって該不純物層16を拡散してつなぎ、ウェル17を形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板にウェルを形成する方法として、まず、形成しようとするウェルの大きさより小さい複数個の不純物層を前記ウェル形成領域の範囲内に形成し、該複数個の不純物層を熱処理により拡散させて前記ウェルを形成することを特徴とする半導体装置におけるウェルの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/266

FI (2件)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 21/265 M