特許
J-GLOBAL ID：200903021043258390
スパッタリングターゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253382
公開番号（公開出願番号）：特開平7-109566
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 従来の金属酸化物から成るスパッタリングターゲットに比して、低い印加パワーでスパッタリングを行っても高いスパッタ収率で、安定した成膜速度が得られるスパッタリングターゲット。【構成】 セラミックス材ターゲットを用いて基板上に誘電体膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットは印加電圧1.5Vで測定したターゲットの板厚方向の電気抵抗を100mΩ・cmないし10Ω・cmの範囲としたスパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
セラミックス材ターゲットを用いて基板上に誘電体膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットは印加電圧1.5Vで測定したターゲットの板厚方向の電気抵抗が100mΩ・cmないし10Ω・cmであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C23C 14/08
, H01L 21/285
, H01L 21/31
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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