特許
J-GLOBAL ID：200903021044189111
基板上の単結晶半導体およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007976
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236445
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 高品質なSiCが形成された層状基板を提供する。【解決手段】 本発明は、基板と、基板上に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された単結晶層とを含む層状構造に関する。単結晶層は、約200〜20000オングストロームの厚さを有し、少なくとも第1の元素と誘電体層上の第2の元素の初期単結晶層との化学反応によって形成される。本発明の成功には、第2の元素が、約100〜10000オングストロームの初期厚さを有することが重要である。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された化合物の単結晶層とを含む層状構造であって、前記単結晶層が、約200〜20000オングストロームの厚さを有し、少なくとも第1の元素と、約100〜10000オングストロームの初期厚さを有する前記誘電体層上の第2の元素の初期単結晶層との化学反応により形成される、層状構造。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 31/10
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 31/10 A
