特許

J-GLOBAL ID：200903021044375284

絶縁膜及びその形成方法

発明者： 山口 城 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  片山 倫子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087832
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284476
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜及びその形成方法に関し、誘電率及び吸湿性が低く、また、吸湿に依る加水分解を生ずることがなく、しかも、金属配線との密着性も優れている絶縁膜を実現しようとする。【解決手段】 SiCFx (x=1〜3)を主成分とする膜、即ち、SiCF膜3、CF膜4、SiCFx (x=1〜3)を主成分とする膜、即ち、SiCF膜5を順に積層形成して半導体集積回路装置に於ける絶縁膜として用いる。

請求項（抜粋）：

SiCFx (x=1〜3)を主成分とする膜及びCF膜及びSiCFx (x=1〜3)を主成分とする膜を順に積層形成してなることを特徴とする絶縁膜。