特許

J-GLOBAL ID：200903021049091730

p型電極構造およびそれを有する半導体発光素子

発明者： 岩田 普
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-246626
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093134
出願日： 1996年09月18日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 抵抗が低く信頼性の高いp型電極構造と、動作電圧が低く、歩留まりの高い発光素子とを提供する。【解決手段】 基板52上に、nクラッド層53、活性層54、pクラッド層55、p型半導体層56、電流狭窄層57、n型半導体層58、金属層59を形成し、n型半導体層58の伝導帯端は、p型半導体層56の価電子帯端よりもエネルギー位置を深くし、金属層59のフェルミレベルはn型半導体層58の伝導帯端よりエネルギー位置を浅くする。

請求項（抜粋）：

p型半導体層を有するp型電極構造において、p型半導体層上にn型半導体層と金属層とを有するとともに、そのn型半導体層の伝導帯端がp型半導体層の価電子帯端よりもエネルギー位置が深いものであり、金属層に正の電位を掛け、金属層からn型半導体層を介してp型半導体層に電流を注入して動作させることを特徴とするp型電極構造。

IPC (6件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 G ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72