特許
J-GLOBAL ID:200903021050303660

芯垂直配列型半導体重合体合成用化合物及びその化合物の合成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-046844
公開番号(公開出願番号):特開平7-118185
出願日: 1991年03月12日
公開日(公表日): 1995年05月09日
要約:
【要約】【目的】 半導体重合体を形成するのに有用な芯垂直配列型重合体の中心部構成ブロックを形成するための分子を与える。【構成】 式:【化1】(式中、Xは、導電性又はプロ導電性重合体小単位が上記式の化合物に結合する時に使われる反応性基で、臭素、沃素、-O-SO2 -CF3 、及び臭素、沃素、又は-O-SO2 -CF3 で末端が置換された一種類以上の重合体小単位からなる反応性基からなる群から選択された反応性基である。)の化合物。この化合物は、式:【化2】の化合物を、触媒FeCl3の存在下で臭素と反応させることにより製造される。
請求項(抜粋):
式:【化1】(式中、Xは、導電性又はプロ導電性重合体小単位が上記式の化合物に結合する時に使われる反応性基で、臭素、沃素、-O-SO2 -CF3 、及び臭素、沃素、又は-O-SO2 -CF3 で末端が置換された一種類以上の重合体小単位からなる反応性基からなる群から選択された反応性基である。)の化合物。
IPC (7件):
C07C 25/22 ,  B01J 27/128 ,  B01J 31/24 ,  C07C 17/12 ,  C07C309/65 ,  C07F 7/08 ,  C07B 61/00 300

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