特許

J-GLOBAL ID：200903021055562841

半導体装置

発明者： 堀田 弘文
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-146943
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340356
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 絶縁基板に穿設され内面にめっき層を形成した貫通孔にバンプ電極材料を供給してバンプ電極を形成した半導体装置では、バンプ電極が外部の電極に位置ずれして供給されると位置ずれが矯正されないという問題があった。【解決手段】 一主面に導電パターン14が形成された絶縁フィルム13上に半導体ペレット17がその電極17aと導電パターン14とが電気的に接続されてマウントされ、絶縁フィルム13の他の主面にバンプ電極19が前記導電パターン14と電気的に接続されて形成された半導体装置のバンプ電極19を、絶縁フィルム13の他の主面側より穿設され内周面にフィルム素地が露呈されかつ内端が導電パターン14によって閉塞された貫通孔13a内に供給したバンプ電極材料の内端を導電パターン14に接続し外端を貫通孔13aより突出させることにより形成する。

請求項（抜粋）：

一主面に導電パターンが形成された絶縁フィルム上に半導体ペレットをその電極と導電パターンとを電気的に接続してマウントし、絶縁フィルムの他の主面に形成したバンプ電極と前記導電パターンとを電気的に接続した半導体装置において、上記絶縁フィルムの他の主面側より穿設されて内周面にフィルム素地を露呈させかつ内端が導電パターンによって閉塞された貫通孔内に供給したバンプ電極材料の内端を導電パターンに接続するとともに外端を貫通孔より突出させてバンプ電極を形成したことを特徴とする半導体装置。