特許
J-GLOBAL ID：200903021056678657
アッシング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033660
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234881
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は,半導体製造プロセスにおける有機レジストのアッシング装置に関し,構造が小さいままで,荷電粒子の影響を受けないダメージフリーの装置を得ることを目的とする。【構成】 アッシングガスを放電させる発光室1と, アッシング処理を行う反応室2を, シャワーヘッド3により分離している構造を有するダウンフローアッシング装置において, シャワーヘッド3と反応室2内の被処理基板4の距離が50mm以内で,且つ,アッシング反応の活性化エネルギが0.5 eVの領域を得るような構造のシャワーヘッド3を有するように,また,前記シャワーヘッド3は,材質にAlを用い,且つ,孔の形状が 1.2mm以下であるように構成する。
請求項（抜粋）：
アッシングガスを放電させる発光室(1) と, アッシング処理を行う反応室(2) を, シャワーヘッド(3) により分離している構造を有するダウンフローアッシング装置において,該シャワーヘッド(3) と該反応室(2) 内の被処理基板(4) の距離が50mm以内で,且つ,アッシング反応の活性化エネルギ(EA ) が0.5eVの領域を得るような構造のシャワーヘッド(3) を有することを特徴とするアッシング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/42
, H01L 21/302
