特許

J-GLOBAL ID：200903021058421904

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤井 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337905
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223730
出願日： 1990年10月17日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板表面から裏面へ電流経路を有するパワー素子と制御回路素子とをモノリシックに集積した半導体装置を製造する。【解決手段】 表面にSiO2 膜27が形成されたN+ 型Si基板25とN- 型Si基板20とが直接接合し、その接合面にSiO2 膜27を有する貼り合わせSi基板を形成する。この基板20側の主面より膜27に達する溝部28を形成しその側壁部に酸化膜30を形成する。次に、パワー素子形成領域29となる溝部28に形成された酸化膜を除去し、貼り合わせ基板の表面にSi層をエピタキシャル法により形成させる。この時、パワー領域29となる溝部28上には単結晶Si層が、またSOI層間の溝部28には多結晶Si層が夫々形成される。その後、貼り合わせ基板の表面を平坦に研磨し、基板表面から裏面へ電流経路を有するパワー素子形成領域と制御回路素子形成領域とがモノリシックに集積される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板の一主面の第一の領域上に設けられた第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜上に設けられた第一の単結晶シリコン層と、前記第一の単結晶シリコン層の側面を被覆する第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜と側面を接して設けられた第一の多結晶シリコン層と、前記第一の多結晶シリコン層と側面を接し且つ前記単結晶シリコン基板の一主面の第二の領域上に設けられ、前記第一の単結晶シリコン層とは電気的に絶縁分離された第二の単結晶シリコン層とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/06 321 C ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 656 F ,  H01L 29/78 658 K