デュアルダマシンエッチング方法及びそれを用いた半導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-280923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102449
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】低誘電率の絶縁膜にデュアルダマシン構造を高精度に歩留りよく形成するエッチング方法を実現する。【解決手段】平板アンテナ型のUHF帯ECRプラズマエッチング装置を用いて、低誘電率の第1の有機SOG203と中間絶縁層204を介して低誘電率の第2の有機SOG208でとを有する絶縁層に、ホール206bと溝210aとを一体化したデュアルダマシン構造を形成するに際し、これら絶縁層をエッチングする工程においてはプラズマエッチング装置に供給する酸素ガス流量に対するエッチングガス流量の比率を0.7〜1.3とし、中間絶縁層204をエッチングストッパーとして絶縁膜208に溝210aを形成した後に、中間絶縁層204をマスクとして絶縁膜203にホール206bを形成する。エッチングガスとしては炭素、フッ素及び水素の少なくとも1種の元素を含むガスを用い、酸素ガスの代りにプラズマ中での解離によって酸素を供給できるガスを用いることもできる。

請求項（抜粋）：

平板アンテナ型のUHF帯ECRプラズマエッチング装置を用いて、第1の絶縁膜と中間絶縁層を介して第2の絶縁膜とを有する絶縁層にホールと溝とからなるデュアルダマシン構造を形成するエッチング方法であって、前記第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングする工程においては前記プラズマエッチング装置に供給する酸素ガス流量に対するエッチングガス流量の比率を0.7〜1.3とし、前記中間絶縁層をエッチングストッパーとして前記第2の絶縁膜に溝を形成した後に、前記中間絶縁層をマスクとして前記第1の絶縁膜にホールを形成することを特徴とするデュアルダマシンエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/28 L , H01L 21/90 A , H01L 21/302 J , H01L 21/90 S

Fターム (46件)：

4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD20 , 4M104EE18 , 4M104HH14 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB28 , 5F004CA02 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB24 , 5F004EA07 , 5F004EA15 , 5F004EA23 , 5F004EA33 , 5F004EB02 , 5F033MM02 , 5F033QQ15 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033TT04 , 5F033WW05 , 5F033WW06 , 5F033XX03

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