特許
J-GLOBAL ID：200903021065217166

基板処理用静電吸着機構

発明者：
佐護 康実

佐護 康実 について

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池田 真義

池田 真義 について

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金子 一秋

金子 一秋 について

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香村 由紀

香村 由紀 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063783
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270681
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 基板処理のために基板を静電吸着する静電吸着機構において、基板の面内温度を充分に均一にできる構成を提供する。【解決手段】 処理チャンバー1内で基板9を静電吸着して保持する基板処理用静電吸着機構は、温度制御手段を有する静電吸着ステージ2と吸着電源23とから成る。静電吸着ステージ2は、基板9の裏面に接触する複数の突起25と、突起25により形成される凹部24内に熱交換用ガスを導入するガス導入路20を有する。各突起25の基板9に接触する面は、最も短くなる方向で見た幅Rが基板9の厚さtの2倍以下であり、各突起25の間隔は3mm以下である。静電吸着ステージ2は周縁に沿って延びる周縁凸部27を有し、周縁凸部27と基板9により凹部24内が閉空間とされる。周縁凸部27の幅は2mm以下又は基板9の厚さの2倍以下である。
請求項（抜粋）：
内部で基板の表面に所定の処理を施す処理チャンバー内の所定位置に基板を静電吸着して保持する基板処理用静電吸着機構であって、表面に静電気を誘起して当該表面に基板を静電吸着するとともに基板を加熱又は冷却して温度制御する温度制御手段を有する静電吸着ステージと、静電吸着用の電圧を静電吸着ステージに与える吸着電源とから成り、前記静電吸着ステージの表面には、基板が静電吸着された際に基板の裏面に接触する突起が複数設けられているとともに、前記静電吸着ステージは、これら突起により形成される凹部内に熱交換用ガスを導入するガス導入路を有しており、さらに、各突起の基板の裏面に接触する面は、最も短くなる方向で見た幅が基板の厚さの2倍以下となっていることを特徴とする基板処理用静電吸着機構。
IPC (6件)：
H01L 21/68 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H02N 13/00 ,  B23Q 3/15
FI (6件)：
H01L 21/68 R ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/205 ,  H02N 13/00 D ,  B23Q 3/15 D ,  H01L 21/302 B
Fターム (36件)：
3C016CE05 ,  3C016GA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA03 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004CA04 ,  5F004DA22 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031CA09 ,  5F031HA02 ,  5F031HA08 ,  5F031HA16 ,  5F031HA19 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA40 ,  5F031MA32 ,  5F031PA11 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK21 ,  5F045EM05 ,  5F045EM07
引用特許：
審査官引用 (7件)
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