特許

J-GLOBAL ID：200903021066328042

エピタキシャル成長方法

発明者： 厚海 憲二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271460
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100736
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 非常に低濃度で、高抵抗のエピタキシャル層を安定して成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。【解決手段】 半導体基板11の上部にp+ 型の拡散層21を設ける。半導体基板11上にキャッピングエピタキシャル層22を成長させる。n型のドーパントを用いずに成長させた場合にエピタキシャル層の導電型がn型になるSiHCl3 ガスと、B2 H6 ガスとを反応炉内に供給して、p- 型のSiエピタキシャル層23を成長させる。反応炉内へのB2 H6 ガスの供給を停止し、SiHCl3 ガスの供給を継続して、p--型の高抵抗層24を成長させる。このエピタキシャル成長において、p- 型のSiエピタキシャル層23の不純物濃度をp--型の高抵抗層24の不純物濃度より2桁程度高くする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の不純物を含むガスを用いることなくエピタキシャル層を成長させた場合に上記エピタキシャル層が第1導電型のエピタキシャル層となるような原料ガスと、第2導電型の不純物を含むガスとを反応室内に供給することにより、第1のエピタキシャル層を成長させる工程と、上記反応室内への上記第2導電型の不純物を含むガスの供給を停止し、上記反応室内に上記原料ガスを供給することによって、上記第1のエピタキシャル層上に第2のエピタキシャル層を成長させる工程とを有し、上記第1のエピタキシャル層を、その不純物濃度が上記第2のエピタキシャル層の不純物濃度より高くなるように成長させることを特徴とするエピタキシャル成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 A

Fターム (38件)：

4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118EA01 ,  4M118FC09 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB06 ,  5F045CA01 ,  5F045DA52 ,  5F045DA59 ,  5F045DA66 ,  5F045DP15 ,  5F045EB13 ,  5F045EC02 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EF03 ,  5F045EK03 ,  5F045HA16 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NB08 ,  5F049PA03 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA18 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049UA20