特許
J-GLOBAL ID：200903021067284510
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222135
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088440
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 量子井戸中に形成される量子準位間の遷移を用いてレーザ発振を実現することによって、通信波長帯でのレーザ発振が可能な半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体レーザ装置は、第1バリア層のエネルギーが量子井戸層内の第1量子準位のエネルギーより下に位置し、第2バリア層のエネルギーが第1量子準位のエネルギーと第2量子準位のエネルギーとの間に位置し、第3バリア層のエネルギーが第2量子準位のエネルギーより上に位置し、第4バリア層のエネルギーが第2量子準位のエネルギーより上に位置し、さらに第5バリア層のエネルギーが第1量子準位のエネルギーより下に位置することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
量子井戸構造の第2量子準位と第1量子準位との間の量子準位間遷移を用いて発振する半導体レーザ装置において、前記量子井戸構造は、第1バリア層、第2バリア層、および第3バリア層からなるバリア層構造と第4バリア層および第5バリア層からなるバリア層構造とで挟まれた井戸層を持つもので、前記第1バリア層のエネルギーが前記量子井戸層内の前記第1量子準位のエネルギーより下に位置し、前記第2バリア層のエネルギーが前記第1量子準位のエネルギーと前記第2量子準位のエネルギーとの間に位置し、前記第3バリア層のエネルギーが前記第2量子準位のエネルギーより上に位置し、前記第4バリア層のエネルギーが前記第2量子準位のエネルギーより上に位置し、さらに前記第5バリア層のエネルギーが前記第1量子準位のエネルギーより下に位置することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
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