レチクルパターンの相対的位置ずれ量計測方法およびレチクルパターンの相対的位置ずれ量計測装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：葛野信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324433
公開番号（公開出願番号）：特開平9-166416
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体ウエハの投影露光のための一組のレチクルについて、レチクル・パターンの基準位置からのずれ量の各レチクル間の差を、精度よく計測する。【解決手段】半導体ウエハの投影露光装置において、レチクル・ステージにレチクルを、またウエハ・ステージにウエハをセットし、レチクルのパターンをウエハに投影露光する。次に、各ウエハに形成されたパターンについてレチクル・アラインメント・マークを基準にしてパターンの位置ずれを測定する。複数のウエハについて同一座標位置でのパターンの位置ずれの差を求め、レチクル・パターンの相対的な位置ずれ量を導出する。

請求項（抜粋）：

投影露光装置により複数のレチクルのパターンをウエハ上に形成する工程と、上記ウエハ上のパターンについてそれぞれの基準位置からの位置ずれを計測する工程と、上記ウエハ上の各パターンの位置ずれ量の差から上記レチクルのパターンの位置ずれ量の差を求める工程とを含むレチクルパターンの相対的位置ずれ量計測方法。

IPC (3件)：

G01B 11/00 , G03F 9/00 , H01L 21/027

FI (4件)：

G01B 11/00 H , G03F 9/00 H , H01L 21/30 516 Z , H01L 21/30 522 A

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