IV族元素ドープIII-V族化合物半導体を有するp-n接合デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-208123
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204499
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 IV族元素ドープIII-V族化合物半導体を有するp-n接合デバイスを提供する。【構成】 pまたはn或いはp及びnの両方の領域が、炭素、ゲリマニウム及びシリコンから選択された両性IV族元素を選択的にドープした超格子により形成されたIII-V族化合物半導体を含むp-n接合デバイスを実現する。超格子はそれぞれが2つの層を含む複数の周期を含む。伝導型に依存して、前記の伝導型の超格子領域を形成する周期中の層の1つのみが、前記ドーパントにより選択的にドープされ、これらの周期の他方の層はアンドープのままである。超格子は分子線エピタキシー技術により形成され、ドーパントはデルタドーピングにより、周期の各層を形成する単原子層間の中心に配置されたシートとして、各層に導入される。各周期は化合物半導体中の陽イオン組成比に対応した比率で、2つの層内に堆積させた、5〜15単原子層を含む、たとえば410〜450°Cの範囲の低成長温度において、鏡状表面が得られる。

請求項（抜粋）：

ドープ領域を包含するIII-V族化合物半導体デバイスであって、当該ドープ領域が複数の周期(20)を有する超格子よりなり、各周期がそれぞれ第1及び第2材料の2つの層(21、22)を包含し、第1材料層のみが両性ドーパント(22)でドープされ、第1材料において第1伝導形を誘導するが第2材料においては相対伝導形を誘導し、当該ドーパントがδ-ドーピングにより、各周期における当該第1材料の当該層の中心に選択的に導入されることを特徴とするIII-V化合物半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 29/804 , C30B 29/68 , H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 29/80 A , H01L 29/80 H , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-005817
特開昭64-053570
特開昭62-261178

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