特許

J-GLOBAL ID：200903021078444838

磁気抵抗効果ヘッド

発明者： 上口 裕三 ,  橋本 進 ,  岩崎 仁志 ,  大沢 裕一 ,  佐橋 政司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-209954
公開番号（公開出願番号）：特開平7-129928
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 大きな磁気抵抗変化率を再現性よく得ることを可能にした磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【構成】 Co基磁性合金からなる一対の磁性層1、2間に非磁性中間層3を配置した 3層積層構造のスピンバルブ膜4を具備する磁気抵抗効果ヘッドにおいて、一対の磁性層の膜厚(d1 、d2 (nm)(ただし、d1 ≧d2 ))を 3≦d1 ≦ 7、 3≦d2 ≦ 7および 0≦(d1 -d2 )/d1 ≦0.40を満足させる。さらに、一対の磁性層のうち、外部磁界により磁化方向が変化する磁性層に接して高抵抗の軟磁性層を設け、この軟磁性層とそれに接する磁性層との膜厚の合計(df )を 5〜40nmの範囲とする。 5層積層構造のスピンバルブ膜を具備する磁気抵抗効果ヘッドにおいても、同様に外側の 2つの磁性層の膜厚(d1 、d2 (nm))を上記条件を満足させる。

請求項（抜粋）：

少なくともCoを含む磁性合金からなる一対の磁性層と、前記一対の磁性層間に配置された非磁性中間層とを有する 3層積層構造のスピンバルブ膜を具備する磁気抵抗効果ヘッドであって、前記一対の磁性層の膜厚をd1 、d2 (nm)(ただし、d1 ≧d2 )としたとき、 3≦d1 ≦ 7、 3≦d2 ≦ 7、および 0≦(d1 -d2 )/d1 ≦0.40を満足することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。