特許
J-GLOBAL ID:200903021081671071
太陽電池及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 耕二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-219484
公開番号(公開出願番号):特開2000-058888
出願日: 1998年08月03日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【目的】 光電変換効率が高く且つ量産性に優れた太陽電池を提供する。【構成】 透明導電層4の集電極5と接する表面部分に、他の表面部分よりも抵抗の小さい低抵抗領域6を備えている。
請求項(抜粋):
非晶質半導体層上に透明導電層及び集電極を備える太陽電池であって、前記透明導電層の前記集電極と接する表面部分に、他の表面部分よりも抵抗の小さい低抵抗領域を有することを特徴とする太陽電池。
FI (2件):
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 H
Fターム (10件):
5F051AA05
, 5F051CB27
, 5F051DA04
, 5F051EA18
, 5F051FA02
, 5F051FA14
, 5F051FA17
, 5F051GA02
, 5F051GA04
, 5F051GA06
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