半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-152894
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321387
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 p型の基板の上に格子歪みのない活性層を形成することにより特性を向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 p型のInP混晶により形成した基板1の上にIII-V族バッファ層2およびII-VI族バッファ層3を介してII-VI族化合物半導体よりなる第1導電型クラッド層4,活性層5および第2導電型クラッド層6が順次積層されている。III-V族バッファ層2はGaInP混晶よりなるIII-V族半導体層2aと、AlInP混晶よりなるIII-V族半導体層2bとにより構成されている。II-VI族バッファ層3はZnSe混晶よりなるII-VI族半導体層と、ZnSSe混晶よりなるII-VI族半導体層とにより構成されている。

請求項（抜粋）：

基板の上にII-VI族化合物半導体を成長させて第1導電型クラッド層,活性層および第2導電型クラッド層を順次積層してなる半導体発光素子であって、前記基板がp型の電気伝導性を有するInPにより形成されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/203 M , H01L 21/205

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