特許
J-GLOBAL ID：200903021090748303
加工データを遠隔的に測定するための構造ならびにその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西山 善章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200010
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106392
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、製造またはその他の処理を受けるシリコンウエハなどの物体について温度などのデータを検出するための方法及びその構造を提供する。【構成】 本方法及びその構造は処理しようとする物体と材料及び較正が類似したモニター用素子を用いる。閉じたループまたは螺旋の部分などの構造をモニター用素子の表面上に形成し、1次コイルと、電流供給源と検出装置とを含むトランス構造との動作的関連にやってきたときに2次コイルとして機能するようにする。検出装置はモニター用素子の存在によって発生した1次コイル内の電気的特性の変化を検出し、これによってモニター用素子に関する温度またはその他の所望のデータを求めることができ、該データは処理しようとする物体についてのデータに匹敵し実質的に同等である。
請求項（抜粋）：
複数の素子を製造しようとする処理の最中に処理条件を検出するための装置であって、1次コイルと、電流供給源と、少なくとも1つの検出器を有する1次導体構造であって前記導体構造内の電気的値を測定するための導体構造と、製造しようとする素子と材料ならびに形状が類似するモニター用素子であって、前記モニター用素子は前記1次導体構造と協動する2次コイルとして動作する構造を含み、これによって前記モニター用素子が前記製造しようとする素子と同じ処理条件となるようにし、またこれによって前記構造の電気的特性は前記1次コイルの電気的状態に影響するように前記モニター用素子の周辺処理条件にしたがって変化し、前記製造しようとする素子に関する所望のデータをあらわすように前記検出器の少なくとも1つによって測定されることとを含むことを特徴とする装置。
引用特許：
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