特許

J-GLOBAL ID：200903021093509903

受光素子を有する半導体装置及びその製造方法

発明者： 山崎 陽一 ,  荒井 千広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149132
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331053
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】 経済的に製造できる遮光構造を備えた、受光素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本フォトIC10は、P型Si 基板11内にバイポーラ・トランジスタ及びフォトダイオードの拡散層12〜15を備えている。更に、フォトICは、基板全面に第1絶縁膜18を、受光素子の受光部を除いた基板領域上に膜厚が300nmより薄い遮光膜19を、次いで基板全面に第2絶縁膜20を備えている。第2絶縁膜20上には、第1金属配線層21が形成され、電極ホールを埋める電極プラグ21により所定の拡散領域と導通している。電極プラグ21が遮光膜19と接触しないように、遮光膜19の電極ホール開口は第1絶縁膜18及び第2絶縁膜20の開口より大きくなっている。第1金属配線層上に、第3絶縁膜22、第2金属配線層23及びオーバーパシベーション膜24を備えている。本フォトICでは、絶縁膜の平滑化工程が不要になる。

請求項（抜粋）：

受光素子及び受光素子とは異なる別の半導体素子を有し、受光素子の受光部を除く領域に形成された遮光膜と、少なくとも一層の金属配線層とを基板上に備える半導体装置において、遮光膜が、金属配線層より下に形成されていることを特徴とする受光素子を有す半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A