特許
J-GLOBAL ID:200903021095698185

ブラシ洗浄方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-215876
公開番号(公開出願番号):特開2002-025966
出願日: 2000年07月12日
公開日(公表日): 2002年01月25日
要約:
【要約】【課題】半導体素子の高集積化に伴い、薄膜を形成したウエハ表面の平坦化が不可欠となり、化学機械研磨法が用いられている。この手法は多量のスラリを使用するため、研磨後ウエハ表面を十分に洗浄することが困難であった。【解決手段】有機溶剤を添加した純水を用いてブラシ洗浄を行うことにより上記課題は解決される。
請求項(抜粋):
化学機械研磨法により研磨した半導体ウエハをブラシを用いて洗浄する際、洗浄液として、有機溶剤を添加した純水を用いることを特徴とするブラシ洗浄方法。
IPC (5件):
H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 644 ,  H01L 21/304
FI (6件):
H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 643 B ,  H01L 21/304 644 C ,  H01L 21/304 644 E ,  H01L 21/304 644 G

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