特許
J-GLOBAL ID：200903021097054757
基板処理装置および基板処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
振角 正一
, 梁瀬 右司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-320443
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135557
出願日： 2006年11月28日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：
【課題】基板へのダメージを防止しつつパーティクルの除去を促進する。【解決手段】基板Wの表面Wfに向けてDIWを供給して下層液膜11fを形成し、これを凍結して下層凍結膜13fを形成する。さらに、下層凍結膜13fの表面に向けて、下層凍結膜13fが融解しない温度に冷却されたDIWを供給して上層液膜12fを形成し、これを凍結して上層凍結膜14fを積層形成する。そして、常温のDIWを供給して下層凍結膜13fおよび上層凍結膜14fの全体を融解して、基板Wの表面Wfからパーティクルとともに除去している。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板の表面に向けて液体を供給する液体供給手段と、
前記液体供給手段の液体供給により前記基板の表面に形成された液膜を凍結させる凍結手段と
を備え、
前記凍結手段の液膜凍結により形成された下層凍結膜の表面に向けての液体供給および該供給された液体の凍結を少なくとも1回行って上層凍結膜を前記下層凍結膜上に積層形成した後に、前記基板の表面に生成された凍結膜全体を除去することを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/304 643A
, H01L21/304 648K
, B08B7/00
3B116AA02
, 3B116AA03
, 3B116AB34
, 3B116BB22
, 3B116BB82
, 3B116CC01
, 3B116CC03
, 3B116CD42
, 3B116CD43
