特許
J-GLOBAL ID：200903021099872422
導体の溶接方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
紋田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-071196
公開番号（公開出願番号）：特開平11-254152
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：
【要約】【課題】 溶接金属中のSiまたはMgの分布を均一に保って溶接割れが発生する防ぐこと。【解決手段】 アルミニウム合金からなる導体パイプ6の溶接開先8と、アルミニウム合金からなる端子部品7の溶接開先9との間にアルミニウム合金からなるリング状の溶加材11を挿入する。この溶加材11に電子ビーム12を照射して溶融させ、双方の部品を一体に溶接する。溶接金属に対する母材の希釈率を60%に満たない値に制限することにより溶接金属中のSi量を5.35〜12.0%(重量パーセント)に調節する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム合金からなる導体パイプの溶接開先と、アルミニウム合金からなる端子部品の溶接開先との間にアルミニウム合金からなる溶加材を挿入し、高エネルギビームを該溶加材し照射し、双方の部品を一体に溶接する導体の溶接方法において、溶接金属に対する母材の希釈率を一定の範囲内に制限するように高エネルギビームを照射し、溶接金属中のSi量が重量パーセントで5.35〜12.0%となるようにしたことを特徴とする導体の溶接方法。
IPC (8件)：
B23K 15/00 506
, B23K 15/00 501
, B23K 33/00
, B23K 35/28
, C22C 21/02
, C22C 21/06
, C23C 4/08
, H01H 1/06
B23K 15/00 506
, B23K 15/00 501 A
, B23K 33/00 Z
, B23K 35/28
, C22C 21/02
, C22C 21/06
, C23C 4/08
, H01H 1/06 F
