特許
J-GLOBAL ID：200903021102709694
ハイブリッドIC及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246761
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088316
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】ハイブリッドICに複数の半導体ベアチップを内蔵する場合に、適用範囲が広く、容易に実施できる高密度なベアチップ実装方法を提供する。【構成】回路基板(1)上に第1半導体ベアチップ(3)を固着し、ワイヤボンディングを行なった後、液状の絶縁樹脂(6)を第1半導体ベアチップ(3)上に少なくともボンディングワイヤ(5)が覆われる高さまで塗布し、その上に第2半導体ベアチップ(7)を置載し、その後絶縁樹脂(6)を硬化させ、ワイヤボンディングを行なって、最後に半導体ベアチップ(3、7)とボンディングワイヤ(5)の全てを封止樹脂(8)で封止する。これにより、回路基板の片面に複数の半導体ベアチップを、上下の大きさの関係を考慮せずに、容易に多段に高密度実装できる。
請求項（抜粋）：
回路基板上に第1の半導体ベアチップを固着し、金属細線にて該回路基板と該第1の半導体ベアチップを回路接続し、次に、該第1の半導体ベアチップの露出した主面上に、後処理によって硬化する液状絶縁樹脂を、少なくとも該第1の半導体ベアチップ上の該金属細線の最大高さ部分まで覆うように吐出し、前記絶縁樹脂が未硬化状態のまま、第2の半導体ベアチップを前記絶縁樹脂上に置き、その後、金属細線にて前記回路基板と前記第2の半導体ベアチップを回路接続し、最終的に該第1、第2の半導体ベアチップと回路接続用の前記金属細線の全体を絶縁樹脂で封止して半導体チップを内蔵する、ことを特徴とするハイブリッドICの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
, H01L 21/60 301
