特許
J-GLOBAL ID:200903021107106327
防汚層形成用組成物および反射防止積層体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-310755
公開番号(公開出願番号):特開2006-124417
出願日: 2004年10月26日
公開日(公表日): 2006年05月18日
要約:
【課題】 指紋ふき取り性が優れる上に、基材にハードコート層を設けなくても耐摩耗性が優れる防汚層形成用組成物および反射防止積層体を提供する。【解決手段】 本発明の防汚層形成用組成物は、少なくとも片末端に-SiR1m(R2)3-m基(ただし、R1は加水分解性基を表し、R2は水素原子または炭素数3以下のアルキル基を表す。mは1〜3の整数を表す。)を有するパーフルオロポリエーテル(A)と、ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基および加水分解性基を有するポリジメチルシロキサン(B)とを含む。本発明の反射防止積層体1は、上述した防汚層形成用組成物からなる防汚層30と、防汚層30の下に形成された反射防止層20とを有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
少なくとも片末端に-SiR1m(R2)3-m基(ただし、R1は加水分解性基を表し、R2は水素原子または炭素数3以下のアルキル基を表す。mは1〜3の整数を表す。)を有するパーフルオロポリエーテル(A)と、
ケイ素原子に直接結合したフルオロアルキル基および加水分解性基を有するポリジメチルシロキサン(B)とを含むことを特徴とする防汚層形成用組成物。
IPC (4件):
C08G 81/00
, B32B 27/30
, G02B 1/11
, G02B 1/10
FI (4件):
C08G81/00
, B32B27/30 D
, G02B1/10 A
, G02B1/10 Z
Fターム (31件):
2K009AA02
, 2K009BB24
, 2K009CC03
, 2K009CC26
, 2K009CC42
, 2K009DD04
, 2K009EE05
, 4F100AA20C
, 4F100AA33D
, 4F100AK42B
, 4F100AK52A
, 4F100AK52K
, 4F100AK54A
, 4F100AK54K
, 4F100AL05A
, 4F100AR00B
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100GB41
, 4F100JK09
, 4F100JL06A
, 4F100JN06
, 4F100JN06B
, 4J031AA53
, 4J031AA59
, 4J031AB04
, 4J031AC13
, 4J031AD01
, 4J031AF21
引用特許:
出願人引用 (3件)
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導電性反射防止膜
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-215422
出願人:富士写真光機株式会社
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反射防止フィルター
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-153822
出願人:住友化学工業株式会社, ダイキン工業株式会社
-
反射防止フィルム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-179771
出願人:帝人デュポンフィルム株式会社
審査官引用 (3件)
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