半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106268
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291701
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】コンタクトホール底部におけるコンタクト部の占有面積が写真製版の重ね合わせ精度に依存して変動する構造であっても、コンタクトホールのドライエッチング時に安定した終点判定が行える終点検出方法を提供するものである。【解決手段】半導体基板18上に第1の絶縁膜19を形成し、第1の絶縁膜19に導電性層22を形成し、第1の絶縁膜19とは種類の異なる第2の絶縁膜23を導電性層22および第1の絶縁膜19上に形成し、第2の絶縁膜23上に第3の絶縁膜24を形成し、第3の層間絶縁膜24上にマスク25を形成し、マスク25に基づいて第3の絶縁膜24をエッチングすることにより、第3の絶縁膜24にコンタクトホール26を形成し、コンタクトホール26の形成の終点は、第2の絶縁膜23に基づき検出する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を形成し、前記第1の絶縁膜に導電性層を形成し、前記第1の絶縁膜とは種類の異なる第2の絶縁膜を前記導電性層および前記第1の絶縁膜上に形成し、前記第2の絶縁膜上に第3の絶縁膜を形成し、前記第3の絶縁膜上にマスクを形成し、前記マスクに基づいて前記第3の絶縁膜をエッチングすることにより、前記第3の絶縁膜にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの形成の終点は、前記第2の絶縁膜に基づき検出することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/28 F , H01L 21/302 E , H01L 21/90 A

Fターム (22件)：

4M104BB01 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104HH14 , 5F004AA16 , 5F004CB02 , 5F004CB15 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F033KK05 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ23 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033TT02

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-032227
特開平1-272121
特開平4-032227

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