特許
J-GLOBAL ID:200903021113052212

半導体集積回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-040960
公開番号(公開出願番号):特開平6-252208
出願日: 1993年03月02日
公開日(公表日): 1994年09月09日
要約:
【要約】【目的】 半導体チップのサイズを縮小化して低コストを実現すると共に、エアブリッジ配線構造を有する半導体チップの性能を損なわない半導体集積回路装置を提供することである。【構成】 半導体基板上にエアブリッジ配線構造を有する集積回路を形成した後に、その半導体基板のメタル配線上にエアブリッジ配線よりも高い高さの第1の突起電極を形成すると共に、前記半導体基板上の外縁に該第1の突起電極の表面位置と同一の高さとなる第2の突起電極を形成し、前記集積回路に接続する受動素子を可撓性フィルム基板上に形成し、少なくとも前記第1の突起電極と前記受動素子とを電気的に接続し、前記半導体基板と前記可撓性フィルム基板とを一体的に封止した。
請求項(抜粋):
半導体基板上に集積回路を形成した後、その半導体基板上のメタル配線上に突起電極を形成すると共に、前記集積回路に接続する受動素子を可撓性フィルム基板上に形成し、前記突起電極と前記受動素子とを電気的に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-173143
  • 特開昭59-149098
  • 特開昭51-147255

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