特許

J-GLOBAL ID：200903021114600264

化合物半導体基板

発明者： 児島 誠司 ,  服部 聡 ,  石井 宏辰 ,  池田 正清
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-265854
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112444
出願日： 1996年10月07日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】 耐圧および高周波特性がともに優れる電子デバイス用の化合物半導体基板を提供する。【解決手段】 GaAs基板上に厚さ0.05〜1.0μmの厚膜GaAs層よりなる下部バッファ層と、少なくともGaAs/AlGaAs超格子構造と厚さ0.05〜1.0μmの厚膜AlGaAs層を有する上部バッファ層を形成する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に厚さ0.05〜1.0μmの厚膜GaAs層よりなる下部バッファ層と、少なくともGaAs/AlGaAs超格子構造と厚さ0.05〜1.0μmの厚膜AlGaAs層を有する上部バッファ層を形成したことを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/20