特許
J-GLOBAL ID：200903021115369728
窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-034133
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206519
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体材料を有する発光デバイスにおいて、よりすぐれた実用的レベルのp型またはn型結晶を成長し、p-n接合を形成するための窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法を提供する。【構成】 バッファ層にn型またはp型の不純物をドープし、このバッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる。さらにp型の不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた後、前記窒化ガリウム系化合物半導体を600°Cより高い温度でアニーリング、または600°Cより高い温度で電子線照射する。
請求項（抜粋）：
気相成長法により、バッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる方法において、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、バッファ層にn型またはp型の不純物をドープし、このバッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
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