特許

J-GLOBAL ID：200903021125560442

基板処理装置およびその動作方法

発明者： 寺本 聡 ,  張 宏勇 ,  楠本 直人 ,  大谷 久 ,  阿部 寿 ,  坂間 光範 ,  島田 浩行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034185
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221035
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 高い生産性でもって、結晶性を有する珪素薄膜を得る技術を提供する。【構成】 絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜する機能を有する処理室と、前記非晶質珪素膜の脱水素化または前記非晶質珪素膜中に不対結合手を形成する機能を有する処理室と、前記第1の処理室および前記第2の処理室とに連結された搬送室とを有し、前記搬送室には、前記絶縁表面を有する基板を搬送する手段が設けられている。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜する機能を有する処理室と、前記非晶質珪素膜の脱水素化または前記非晶質珪素膜中に不対結合手を形成する機能を有する処理室と、前記第1の処理室および前記第2の処理室とに連結された搬送室と、を有し、前記搬送室には、前記絶縁表面を有する基板を搬送する手段が設けられていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  C23C 26/00