特許
J-GLOBAL ID：200903021126732042
基板の純水引上げ乾燥方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117751
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310484
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 純水の温度に応じた基板の最適引上げ速度を簡易に決定し、最適条件下で親水性基板の純水引上げ乾燥を行なえるようにする。【構成】 洗浄槽10内に収容された温純水12中から基板20を低速度で引き上げる際に、純水の或る温度における親水性基板の引上げ速度を、親水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す曲線と、疎水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す曲線とを比較し、親水性基板に係る曲線が疎水性基板に係る曲線から特異的に乖離していくときの引上げ速度付近の値に設定する。
請求項（抜粋）：
洗浄槽内に収容され加温された純水中に鉛直姿勢で浸漬された基板を純水中から鉛直上方へ引き上げながら、その基板の表面から純水を蒸発させるようにする基板の純水引上げ乾燥方法において、純水の或る温度における親水性基板の引上げ速度を、親水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す曲線と、疎水性基板を純水中から引き上げるときの引上げ速度と乾燥時間との関係を表す曲線とを比較し、親水性基板に係る前記曲線が疎水性基板に係る前記曲線から特異的に乖離していくときの引上げ速度付近の値に設定することを特徴とする基板の純水引上げ乾燥方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304 351
