特許
J-GLOBAL ID：200903021127641482
単結晶シリコンの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-109014
公開番号（公開出願番号）：特開平5-043382
出願日： 1991年05月14日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】インゴットの軸方向及びシリコン基板の面内方向で、酸素の析出が均一となる単結晶シリコンの製造方法を提供する。【構成】CZ法等による結晶シリコンの引き上げの際、るつぼの回転速度あるいは炉内への酸素供給量等を調整して結晶シリコンインゴットの上部から下部に向けて格子間酸素濃度を増大させる工程、前記結晶シリコンインゴットをFZ法を用いて再結晶化させる工程より構成される。【効果】インゴットのどの部分から切り出した単結晶シリコン基板を用いても、この上に形成されるLSI等の回路素子間に生じる特性のばらつきが少なくなり、高品質の素子を歩留まりよく作製することが可能となる。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー(CZ)法等による結晶シリコンの引き上げの際、るつぼの回転速度あるいは炉内への酸素供給量等を調整して結晶シリコンインゴットの上部から下部に向けて格子間酸素濃度を増大させる工程、前記結晶シリコンインゴットをフローティングゾーン(FZ)法を用いて再結晶化させる工程を含むことを特徴とする単結晶シリコンの製造方法。
IPC (5件)：
C30B 15/00
, C30B 13/00
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
