面発光型半導体レーザとそのアレー及び面発光型発光ダイオードとそのアレー及び面発光型pnpn素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212523
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055704
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】自然超格子を利用した面発光型半導体レーザ及び面発光型発光ダイオードにおいて、偏波方向の制御を行う。【構成】半導体GaAs基板1上に自然超格子を形成したGaInP活性層3を含み、面発光型半導体レーザでは基板面に対し垂直方向に共振器を有する。この構造により、偏波方向を[110]方向に安定に制御することが可能となる。また、これらの素子を同一基板上に集積化した半導体レーザアレーでは各素子の偏波方向を[110]方向に揃えることができる。半導体レーザだけでなく面発光型発光ダイオード等の発光素子にも適用できる。

請求項（抜粋）：