特許

J-GLOBAL ID：200903021132037186

誘電体膜の反応性ドライエッチング方法

発明者： 松原 正吾
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-354495
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175174
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 誘電体膜のエッチング速度を著しく向上させるドライエッチング技術を提供する。【構成】 基板1上にPLZT膜2、SiO2膜3、レジスト膜4を順次形成した後、フォトリソグラフィ技術で所望のレジストパターンを形成し、SiO2をエッチングする。SiO2膜3をマスクとしてPLZT膜2のエッチングすべき領域にハロゲン元素をイオン注入する。次いでハロゲン系エッチングガスの雰囲気中でイオンビームエッチングを行う。イオン注入量が1018cm-3以上で、イオン注入がない場合に比べて10倍以上のエッチング速度が得られる。

請求項（抜粋）：

化学式がABO3で表され、AとしてPb,La,Sr,Ba,Liから選ばれる一種以上の元素を含み、BとしてZr,Ti,Ta,Nbから選ばれる一種以上の元素を含む誘電体膜をハロゲン系ガスを用いてドライエッチングする方法において、予めエッチングすべき領域にハロゲン元素をイオン注入することを特徴とする誘電体膜の反応性ドライエッチング方法。