特許
J-GLOBAL ID：200903021135157905
集積化増幅器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240270
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074558
出願日： 1993年09月02日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 FETを含む増幅回路を多段に縦続接続した多段増幅回路を少なくとも2個並列に接続した増幅回路を有する集積化増幅器で、電源バイアス供給用端子の数を少なくしうるものを提供する。【構成】 当該多段増幅回路のうちの個々の多段増幅回路の同一段にあるFETのゲートおよびドレインへのバイアス印加点Pに2本の1/4波長ショートスタブL12〜L62とL13〜L63の一端を接続し、これらのショートスタブの他端を共通のキャパシタC12〜C62を通して接地するとともに、前記多段増幅回路のうちの一つの多段増幅回路のFETのゲートおよびドレインのバイアス印加点に他のショートスタブL11〜L61の一端を接続し、このショートスタブの他端にバイアス電源を供給するように構成する。
請求項（抜粋）：
電界効果トランジスタを含んで構成される増幅回路を多段に縦続接続した多段増幅回路を少なくとも2個並列に接続した増幅回路を有する集積化増幅器であって、当該多段増幅回路のうちのそれぞれの多段増幅回路の同一段にある前記電界効果トランジスタのゲートおよびドレインへのバイアス印加点にそれぞれ第1の4分の1波長線路および第2の4分の1波長線路の一端を接続し、当該第1の4分の1波長線路および第2の4分の1波長線路の他端を共通のキャパシタを通して接地するとともに、前記多段増幅回路のうちの一つの多段増幅回路の電界効果トランジスタのゲートおよびドレインのバイアス印加点に第3の4分の1波長線路の一端を接続し、当該第3の4分の1波長線路の他端にバイアス電源を供給することを特徴とする集積化増幅器。
IPC (2件)：
引用特許：
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