特許
J-GLOBAL ID：200903021135497978
アバランシエフオトダイオードとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-127764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102517
出願日： 1991年05月30日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、超高速光ファイバー通信用に適するアバランシェフォトダイオードおよびその製造方法に関し、高速動作特性とガードリング効果およびパッシベーション効果の優れたフォトダイオードを提供することを目的とする。【構成】 光吸収層1とアバランシェ増倍層2と高不純物濃度の受光側コンタクト層4を含む積層構造を有し、このコンタクト層4だけがその層厚だけ周囲よりメサ状に突出して受光領域に設けられているように構成した。また、上記の構造を有するアバランシェフォトダイオードの製造方法であって、コンタクト層4を全面に成長した後、コンタクト層4の受光領域の周囲に延在する部分を、コンタクト層4の直下に設けた、キャリアの平均自由行程より薄くコンタクト層とは反対導電型のスペーサ層3をエッチングストップ層として選択的にエッチング除去するように構成した。
請求項（抜粋）：
光吸収層とアバランシェ増倍層と高不純物濃度の受光側コンタクト層を含む積層構造を有し、該コンタクト層だけがその層厚だけ周囲よりメサ状に突出して受光領域に設けられていることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 B
, H01L 31/10 H
