特許

J-GLOBAL ID：200903021141846526

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 康嗣
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-348651
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167994
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】チップ面積の拡大に充分対応することができ、かつ低価格で量産が可能である半導体装置およびその製造方法の提供。【解決手段】円柱形基体または円筒形基体の外表面に半導体素子を形成した半導体装置、および円柱形基体または円筒形基体の外表面に半導体素子を形成するにあたって、前記基体と中心軸を共有する略円筒形状のプラズマを生成し、このプラズマを使用して前記基体の外表面の処理を行う半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

円柱形または円筒形の基体の外表面に半導体素子を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/02 ,  C23C 16/507 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/301

FI (6件)：

H01L 21/02 B ,  C23C 16/507 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/78 L

Fターム (21件)：

4K030CA04 ,  4K030CA16 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F004BA01 ,  5F004BA18 ,  5F004BB18 ,  5F004DB01 ,  5F004EA01 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB02 ,  5F045DP01 ,  5F045DP25 ,  5F045DQ04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD28 ,  5F103HH03 ,  5F103NN06