特許
J-GLOBAL ID：200903021145723852
半導体ウエハ支持台およびそれを用いた気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-236710
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102443
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】比較的低温、低圧下で、Bを含むアモルファスSi膜を半導体ウエハ上に堆積した場合に、使用部品の表面の被膜の付着力を向上させ、被膜の剥離を起し難くし、ダストの発生を防止できる済む半導体ウエハ支持台およびそれを用いた気相成長装置を提供する。【構成】それぞれウエハー載置用ボート21およびそれを支持する保温筒22ならびにこれらを収容する反応外管11および反応内管12の表面が、平均表面粗さRaが0.2〜4μm、平均表面粗さ間隔Smが20〜1000μmとなるようにサンドブラスト処理されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
それぞれウエハー載置用ボートおよびそれを支持する保温筒の表面が、平均表面粗さRaが0.2〜4μm、平均表面粗さ間隔Smが20〜1000μmとなるようにサンドブラスト処理されていることを特徴とする半導体ウエハ支持台。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (7件)
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特開昭54-152465
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特開昭58-202535
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特開平2-255593
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