特許
J-GLOBAL ID:200903021145822346

導電性複合材料および高周波回路基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 俊一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-343574
公開番号(公開出願番号):特開平8-287726
出願日: 1995年12月28日
公開日(公表日): 1996年11月01日
要約:
【要約】【解決手段】 テトラシクロドデセンまたはその誘導体:50〜100モル%およびノルボルネンまたはその誘導体:0〜50モル%からなる開環重合体を水添反応させて得られる重合体の延伸または無延伸のシートまたはフィルムの表面に、導電性の半導体膜、酸化物半導体膜または多層膜が設けられていることを特徴とする導電性複合材料。【効果】 導電性複合材料は、?@透明性に優れる、?A酸およびアルカリに対して強い抵抗性を示す、?B耐溶剤性に優れる、?C加工性がよく大面積化が可能である、?D軽量でフレキシビリティに富む、?E薄膜化ができる、?F耐熱性に優れている。
請求項(抜粋):
テトラシクロドデセンまたはその誘導体:50〜100モル%およびノルボルネンまたはその誘導体:0〜50モル%からなる開環重合体を水添反応させて得られる重合体の延伸または無延伸のシートまたはフィルムの表面に、導電性の半導体膜、酸化物半導体膜または多層膜が設けられていることを特徴とする導電性複合材料。
IPC (7件):
H01B 5/14 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/08 ,  B32B 27/00 ,  H01P 3/08 ,  H05K 1/03 610
FI (7件):
H01B 5/14 A ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  B32B 15/08 J ,  B32B 27/00 A ,  H01P 3/08 ,  H05K 1/03 610 H
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭60-026024
  • 特開昭54-047595
  • 特開昭60-131238
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