特許

J-GLOBAL ID：200903021145960501

半導体素子の作製方法

発明者： 山越 英男 ,  水井 順一 ,  田坂 佳之
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-304038
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145559
出願日： 1997年11月06日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】 高効率なII-VI 族半導体素子の作製方法を提供する。【解決手段】 基板上にII-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長により得られた成長層へ電流を注入する電極膜と上記エピタキシャル膜との間に用いる絶縁膜を配した半導体素子を作成方法であって、上記絶縁膜がポリイミド前駆体を化学的脱水剤によって閉環イミド化することによりポリイミドの膜とする。

請求項（抜粋）：

基板上にII-VI 族化合物半導体のエピタキシャル成長により得られた成長層へ電流を注入する電極膜と上記エピタキシャル膜との間に用いる絶縁膜を配した半導体素子の作製方法であって、上記絶縁膜がポリイミド前駆体を化学的脱水剤によって閉環イミド化することによりポリイミドの膜とすることを特徴とする半導体素子の作製方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/36 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/36 ,  H01L 33/00 D