特許

J-GLOBAL ID：200903021155397368

二酸化シリコンの改良RIEエツチング方法

発明者： デイヴイツド ダブリユー グレツチエル ,  ブラツドリー テイラー ,  ジヨン アール ヘンリー ,  ナオミ オビナタ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-021246
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006875
出願日： 1991年02月15日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【構成】 RIE室内に約400〜約1000ワックの出力レベルでプラズマを保ちながら、不活性ガス及びCHF3をRIE室中へ、約200sccmを越えない全ガス流で、それぞれのガス流を約15〜約185sccmの不活性ガス及び約15〜約60sccmのCHF3の範囲内にかつ不活性ガス:CHF3の比を約1:1〜約10:1の範囲に保ちながら流入させることを含む、シリコン酸化物層の平面に関して少なくとも80°の接触角及びシリコンに対する高度の選択性を特徴とする半導体上のシリコン酸化物層中に1個以上の開口をエッチングするための改良RIE方法。1つの好ましい実施態様では、シリコンに対するエッチングの選択性を制御するために CF4ガスをも約1〜約10sccmの範囲内でRIE室中へ流入させかつエッチング工程中ウエハを1〜120ガウスの磁界内に浸漬する。【効果】 酸化物層中の開口のエッチング角は約85°又は約87°でありかつ酸化物層の下のシリコン基板のエッチングは100オングストローム未満であり、シリコンに対する選択性が高度である。

請求項（抜粋）：

約400〜約1000wattの範囲内の出力レベルで室内にプラズマを保ちながらRIE室中へ約15〜約185sccmの不活性ガス及び約15〜約60sccmのCHF3を流入させる工程を含む、ほぼ垂直な接触角及びシリコンに対する高度選択性を特徴とするシリコン酸化物をエッチングするためのRIE方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭58-143528
  
• 特開昭61-121440
  
• 特開昭60-043844
  
• 特開昭57-159026
  
• 特開平3-101227