特許

J-GLOBAL ID：200903021166063372

ドープされた光ファイバを有するシステム

発明者： サンホー ジン ,  ポール ジェイ.ルメール ,  ケニス リー.ウォーカー
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220480
公開番号（公開出願番号）：特開平6-211544
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】【目的】 光ファイバの水素誘導損失を抑制する方法を提供する。【構成】 Ge、Alと希土類(例、Er)をドープしたシリカ系光ファイバ33は水素誘導減衰変化を受け易いことを見出した。この損失増加率は標準的シングルモード光ファイバより20度Cで106倍も大きい。遷移金属ドープシリカ系光ファイバも水素誘導減衰変化が大きい。多くの状況(例えば増幅光ファイバや減衰光ファイバ)で光ファイバの大きい減衰変化は望ましくない。これを水素ゲッティング材料、好ましくは水素ゲッタであるシリカクラッド材料とハーメチックコーティングを供与することにより無くすることができる。また実質的にハーメチックなエンクロージャにある量のゲッティング材料(例、ErFe2)と共に光ファイバを閉じ込める方法も開示する。

請求項（抜粋）：

(i)Ge、Alおよび希土類(原子番号57ないし71)からなる群から選択された元素または(ii)遷移金属元素を含有するコアと、このコアを囲むクラッドとを有するドープされた光ファイバ(33)を有するシステムにおいて、このシステムは、この光ファイバの動作波長と動作温度での水素誘導光減衰変化率を低減する低減手段を有し、この低減する割合が、前記低減手段を有しない同等の光ファイバの水素誘導光減衰変化率に比較して、90%以上であることを特徴とする光ファイバを有するシステム。

IPC (4件)：

C03C 13/04 ,  C03B 37/12 ,  G02B 6/00 376 ,  H04B 10/16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-040744
  
• 特開昭62-283845
  
• 特開昭62-083333
  
• 特開昭61-063543