特許
J-GLOBAL ID：200903021172555074
半導体導波路型光検出器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264416
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120552
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 半導体導波路型光検出器の内部量子効率を高くして、高効率と高速応答を可能にすること。【構成】 基板101上に形成した下部導電層102、光吸収層103及び上部導電層104のうち、上部導電層104の厚さを、光入射端部105で厚く且つその反射側の端部106で薄くなるようにテーパ状に形成する。これにより、光入射端部105での導波光の広がりが大きくなって光ファイバとの結合効率が大きくなり、且つ、光検出器100内部で導波光が薄い光吸収層102内に集まって内部量子効率が高くなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた上部導電層、低キャリア濃度光吸収層及び下部導電層の少なくとも三つの層を有し、上部導電層と下部導電層のうち一方がp型で、他方がn型である半導体導波路形光検出器において、上部導電層の厚さが光の入射する端部で厚く、もう一方の端部で薄くなるようにテーパ状に形成されていることを特徴とする半導体導波路型光検出器。
IPC (2件)：
引用特許：
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