特許

J-GLOBAL ID：200903021174292682

酸化銅膜の堆積法及び該膜からなるヘテロ接合の形成方法

発明者： 中川 克己 ,  荒尾 浩三 ,  岩▲崎▼ 由希子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-353800
公開番号（公開出願番号）：特開平10-183392
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【目的】 良質にして良好な特性を有する酸化第1銅を、所望の基板上に大面積で効率よく堆積することを可能にし、また耐熱性の低い基板上にも、再現性良く良質な特性を持つ酸化第1銅の結晶の成長ができて、低コストで特性の優れた太陽電池、整流器などの大面積半導体デバイスの製造を可能にする方法を提供する。【構成】 銅イオンと硝酸イオンの共存する溶液に、少なくともその表面が電気伝導性である基板を浸漬し、カソード反応により酸化第1銅を堆積する方法およびこの酸化銅を利用して太陽電池や整流器などの大面積半導体素子を作る方法。

請求項（抜粋）：

銅イオンと硝酸イオンが共存する溶液に、少なくともその表面が電気伝導性である基板を浸漬し、カソード反応により前記基板表面上に酸化第1銅を堆積する方法。

IPC (3件)：

C25D 9/08 ,  C01G 3/02 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

C25D 9/08 ,  C01G 3/02 ,  H01L 29/48 M